TLC閃存也會有V-NAND版 850 Evo要來了

    泡泡網SSD固態硬盤頻道8月7日 三星的V-NAND隨著850 Pro的發布開始正式進入消費級市場，目前的V-NAND是第二代，最大32層堆疊，NAND基礎還是40nm工藝的MLC閃存，剛剛測試得出的P/E次 數達到了6000次，可靠性還不錯。但是，以三星的鳥性，TLC閃存怎么可能放過V-NAND，三星有計劃把TLC閃存也做成V-NAND那樣的3D堆疊，或許不久之后我們就能見到850 Evo固態硬盤了。 

　　用不了多久，我們就可以看到TLC閃存的850 EVO取代840 EVO了

　　在前不久三星的SSD全球會議上，Techreport得知三星有計劃推出3bit V-NAND，只不過三星在透露消息方面一貫很小氣，就是不肯說具體細節，不過TR表示在第二代V-NAND發布會上三星提到了今年底會推出容量密度更高的硬盤，或許指的就是這個TLC版的V-NAND閃存。具體命名也不確定，不過慣例可能會用850或者850 EVO這樣的名字。

　　雖然TLC名聲不是很好，但是TLC閃存對提高容量密度、降低成本大有裨益，而性能、可靠性上的問題可以通過其他方式彌補，比如三星的840 EVO就使用了SLC緩存的方式改善了寫入速度，所以只要技術成熟，NAND廠商們還是會上TLC閃存的，三星起了頭，美光很快也會跟進。

　　此外，V-NAND技術在某種程度上也能改善TLC閃存的缺點，立體多層堆疊的封裝使得TLC閃存對制程的要求沒有這么高了，還可以減少干擾，這也有助于改善寫入性能。

　　總之，不管某些用戶是否接受TLC閃存，三星力推的態度是改不了的，特別是有了V-NAND技術的輔助之后，TLC閃存的一些缺點更有了明顯改善，三星遲早會推TLC版的V-NAND閃存，快的話今年底就能見到850 EVO這樣的產品了。

　　可以預想，一旦TLC閃存的V-NAND硬盤上市，屆時又免不了引起很多爭議。TLC閃存理論上壽命會少很多，不過新技術的進度也不可阻擋，對TLC閃存唯一的質疑應該是：如果它的成本比MLC更低，為何市面上的TLC硬盤相對MLC硬盤并沒有價格優勢呢?三星解決了這個問題才更有利于TLC閃存為人廣泛接受。