Fury X產能有望提升：聯華電子TSV量產

    AMD新一代旗艦顯卡Radeon R9 Fury X上市也有一段時間了，不過新工藝的產能往往會低一些，這款顯卡供貨不多，往后的R9 Fury以及R9 nano也將受到影響。不過現在他們迎來了好消息，聯華電子宣布，他們的TSV穿透硅通孔技術已經進入量產階段，將可幫助AMD度過產能的難關。

    TSV穿透硅通孔技術（或者叫硅穿孔技術）主要應用于HBM堆棧式顯存與中介層連接，讓各個Die可以穿過下層的其它Die，之后再通過μBump微凸塊直通中介層；除此之外，中介層也是采用同樣的技術來連接顯存與CPU/GPU。

    從公告來看，聯華電子所負責的就是后面說的這種中介層的量產工作，具體是其位于新加坡的12英寸特殊技術晶圓廠Fab 12i。

    不過中介層產能提上來了，接下來AMD還需要解決HBM堆棧式顯存的產能，這樣大家想買R9 nano的時候才不會對著“無貨”兩個字干等了。■