東芝/閃迪年底出BiCS 3D閃存 48層堆棧

    全球四大NAND豪門中，三星早在2年前就率先量產了3D閃存，他們的V-NAND閃存已經出了2代了，隨后的是Intel、美光系，雙方的3D NAND閃存今年也要量產了，SK Hynix的3D閃存今年也要量產。現在東芝、閃迪系的3D NAND閃存也跟進了，晶圓廠的生產設備已經安裝，今年下半年開始試產，相關產品2016年出貨。

    雖然都是3D堆棧閃存，不過幾家廠商所用的技術并不完全相同，東芝、閃迪聯合研發的3D閃存叫做BiCS 3D NAND（Bit Cost Scaling），堆棧層數達到了48層，核心容量為128Gb，而三星第一代V-NAND堆棧層數才24層，目前的第二代是32層堆棧，Intel、美光的3D NAND也是32層堆棧，不過他們的核心容量是256Gb，TLC類型則可以做到384Gb核心。

    除了堆棧層數最多之外，東芝、閃迪的BiCS 3D閃存號稱在所有3D閃存芯片中核心面積最小，這一點倒一直是東芝/閃迪閃存的優點，15nm的平面NAND中東芝閃存也是核心面積最小的。

    東芝、閃迪去年就宣布了新一代NAND晶圓廠的建設，日本四日市的Fab 5一期、二期工廠主要生產15nm工藝，都已經投產，新建的Fab 2工廠則面向3D閃存，經過一年的建設現在已經開始安裝3D閃存生產設備，預計今年下半年開始初步生產并出樣，2016年初3D閃存正式出貨。■