革新！二通道主控成主流

    SSD的主要構(gòu)成部分是由主控芯片和NAND閃存組成，所以不少人將SSD性能指標(biāo)放在主控的區(qū)分上，其實(shí)這是錯(cuò)誤的。其實(shí)一個(gè)SSD使用的固件與閃存種類都是對(duì)其性能有相當(dāng)大影響的。

    目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，他們的接口和產(chǎn)品之間的規(guī)格是不同的。

    2007年1月，以英特爾，鎂光，海力士，意法半導(dǎo)體，力晶為首的NAND閃存廠商和控制芯片開發(fā)商臺(tái)灣群聯(lián)電子以及產(chǎn)品廠商索尼等宣布統(tǒng)一制定連接NAND閃存和控制芯片的接口標(biāo)準(zhǔn)“ONFI 1.0”。將傳統(tǒng)的Legacy接口每通道傳輸帶寬40MB/s提升到50MB/s，直到2011年3月，ONFI 3.0宣布了，提升接口帶寬到400MB/s，降低CE針腳需求來提升PCB的布局能力。

    Toggle DDR Mode標(biāo)準(zhǔn)源自三星和東芝于2010年6月聯(lián)合制定的全新NAND閃存接口標(biāo)準(zhǔn)。這里所謂的“DDR”其實(shí)和DDR內(nèi)存的道理是一樣的，利用DQS信號(hào)的上升沿和下降沿都進(jìn)行一次數(shù)據(jù)的傳輸，速度自然翻倍。目前東芝Toggle DDR Mode 1.0的標(biāo)準(zhǔn)其接口每通道帶寬可以達(dá)到133MB/s，而最新的Toggle 2.0標(biāo)準(zhǔn)和ONFI 3.0一樣可以達(dá)到400MB/s的接口帶寬。

    早期的主控芯片通道數(shù)都是8通道，有的甚至達(dá)到10通道，與當(dāng)時(shí)的NAND閃存技術(shù)落后有著密不可分的原因。當(dāng)時(shí)的NAND閃存有很大一部分是異步的Flash(Async)，帶寬只有50Mbps且Flash的page size一般只有4KB，8KB，只有8通道的主控才能發(fā)揮SSD在SATA III接口下的最強(qiáng)效能。但是隨著NAND閃存技術(shù)進(jìn)一步成熟，各主控廠商開始設(shè)計(jì)4通道的主控，F(xiàn)lash帶寬也持續(xù)提升，現(xiàn)在SSD主流接口以SATA 3.0為主，理論傳輸速度為600MB/S。那么使用最新的Toggle 2.0標(biāo)準(zhǔn)的閃存在雙通道的主控下就能達(dá)到800MB/s，當(dāng)然這只是理論值，實(shí)際傳輸速度還要受到主控性能和各種延遲的影響，但是完全能夠輕易的勝任以前四通道主控才能做到的工作。

    然后我們不得不說的就是續(xù)航問題，隨著無紙化辦公開始出現(xiàn),一切全都在電腦中操作。便攜性和續(xù)航就成了人們對(duì)于筆記本選擇的首要衡量標(biāo)準(zhǔn)。這個(gè)時(shí)候雙通道主控比起四通道主控的優(yōu)勢簡直強(qiáng)了不是一點(diǎn)半點(diǎn)。就拿影馳全選的鐵甲戰(zhàn)將120來說，使用的是群聯(lián)最新的S11主控，IC 只有9x9mm的大小。在PS3110-S10基礎(chǔ)上沿用SLC Cache算法提升TLC閃存固態(tài)硬盤的性能，并改用40nm工藝制造，內(nèi)核工作電壓僅1.1V，對(duì)降低固態(tài)硬盤能耗，提高筆記本電腦的續(xù)航時(shí)間有著極大幫助。同時(shí)，在移除外置緩存，也是降低功耗的一大原因。

    關(guān)于穩(wěn)定性上，作為最新的科技產(chǎn)物，S11加入了SmartZIP功能、LDPC糾錯(cuò)功能，支持ETE保護(hù)。采用帶進(jìn)階型XOR校驗(yàn)RAID ECC糾錯(cuò)和矩陣式的ECC管理，這也就讓SSD的數(shù)據(jù)可以被修復(fù)。這使得用戶的心病得到解決。

    我們發(fā)現(xiàn)隨著閃存技術(shù)的進(jìn)步，不僅使SSD綜合性能進(jìn)一步提升，而且新制程的閃存降低功耗。二通道主控在成本上和功耗上有著四通道主控所不可比擬的優(yōu)勢，毫無疑問將成為各大廠商新寵。■