東芝發(fā)布UFS 2.1閃存：讀取速度850MB/s

    2016年智能手機(jī)的內(nèi)存、閃存容量雙雙翻倍，內(nèi)存容量站上了6GB，閃存更夸張，iPhone 7起步就是32GB了，128GB才是主流配置，高配直接256GB，比很多人的SSD容量還高。在這背后，閃存廠商的新一代大容量eMMC/UFS閃存起到了關(guān)鍵作用，東芝日前正式推出了新一代eMMC 5.1、UFS 2.1閃存，容量32GB到128GB，其中UFS 2.1使用的是15nm MLC閃存，讀取速度高達(dá)850MB/s，寫(xiě)入也有180MB/s。eMMC 5.1閃存雖然不是什么新玩意了，速度也比不上UFS，但是大量中低端手機(jī)還在用eMMC閃存，其實(shí)手機(jī)廠商不太樂(lè)意公布出來(lái)而已。東芝的eMMC 5.1閃存也是15nm工藝，不過(guò)官方?jīng)]確認(rèn)是MLC還是TLC的，估計(jì)后者的可能性更大，畢竟成本更低。

    東芝eMMC 5.1閃存容量32-128GB，連續(xù)讀取速度320MB/s，連續(xù)寫(xiě)入速度140MB/s，分別比前代產(chǎn)品提升2%（東芝也真誠(chéng)實(shí)）、20%，不過(guò)隨機(jī)性能提升較大，讀取、寫(xiě)入分別提升100%、140%。

    UFS閃存上三星比其他公司搶先，不過(guò)其他廠商現(xiàn)在也追趕上來(lái)了，東芝推出的新品直接基于最新的UFS 2.1規(guī)范，使用了15nm MLC閃存，容量也是32GB到128GB，不過(guò)性能就更強(qiáng)大了，連續(xù)讀取速度850MB/s，連續(xù)寫(xiě)入180MB/s，比前代提升40%、16%，隨機(jī)讀取、寫(xiě)入更是提升120%、80%。

    值得一提的是，東芝這兩款新品不僅使用自家的閃存，主控也是自己開(kāi)發(fā)的，而且東芝還在自己開(kāi)發(fā)自己的M-PHY 3.0物理層及UniPro 1.6，看來(lái)目標(biāo)是爭(zhēng)取掌握所有核心科技??！

    話說(shuō)回來(lái)，安卓陣營(yíng)的廠商地位還是不如蘋(píng)果，iPhone 256GB版使用的是東芝48層堆棧的3D NAND閃存，東芝現(xiàn)在對(duì)外提供的容量最多128GB，也沒(méi)用3D NAND技術(shù)。■