極限2133MHz！OCZ強悍三通道內(nèi)存測試

    隨著Intel Core i7 975的上市，全球知名內(nèi)存品牌OCZ發(fā)布了其新的DDR3-2133 Blade 6GB內(nèi)存套裝。該內(nèi)存套裝為OCZ Blade系列規(guī)格不凡產(chǎn)品，在Intel Core i7 975 + X58平臺上可工作在DDR3-2133（1067MHz），時序8-9-8-24，工作電壓為1.65V。

    這套OCZ Blade優(yōu)異的DDR3-2133內(nèi)存套裝的型號為OCZ3B2133LV6GK，采用爾必達Hyper J1108BASE-MNH-E內(nèi)存顆粒，這種顆粒可以工作在超低的1.2V/1.35V，遠低于目前JEDEC標準的1.5V，其中的主要原因是該內(nèi)存顆粒使用了銅互聯(lián)技術(shù)，而不是一般顆粒常用的鋁。

    可以想象，這套OCZ Blade DDR3-2133的主要競爭對手將是Corsair和G.Skill最新上市的DDR3-2000 CL=7 6GB套裝，不過經(jīng)過我們測試，OCZ Blade套裝DDR3-2133的頻率下，同樣可以將CL值超頻到7。

    近日，我們收到了這套DDR3-2133 Blade 6GB內(nèi)存套裝，但由于我們手上的i7 975 ES版處理器在測試時出現(xiàn)了一些莫名其妙的問題，因此，我們決定采用Core i7 920 DO和EVGA X58 Classified (E759)主板來搭建我們的測試平臺。