英特爾精尖制造日！全球晶體管密度最高的制程工藝

    英特爾精尖制造日在今日如期舉行，在今日的大會上，公布了英特爾制程工藝的重要進展，同時還首次展示了 10nm 的晶圓以及首款面向數據中心應用的64層 NAND 固態硬盤，整個會上可以說是干貨滿滿，下面就為大家解讀一下大會的幾點關鍵問題。

摩爾定律不會失效！

   英特爾公司執行副總裁 Stacy Smith 先生首先談到了關于摩爾定律的問題，在現如今最多的討論就是摩爾定律是否已經不再重要了，甚至有一天會終結。這個問題我想分為兩個層面為大家做出解釋。

    首先是物理層面，提到摩爾定律，大家首先會想到的就是處理器制程中的16nm、14nm和10nm等等，在這個數字越來越小的同時，不禁讓所有人疑惑，是否有一天會到達物理極限，Smith 先生表示至少目前還看不到終點。在1990年時，晶體管大小達到193nm時，物理學界指出不可能再前進了，但現在的制程比當時要小20倍，這是得益于英特爾不斷地創新和實施多種備選方案的結果，同時英特爾也一直在前瞻后三代制程，因此對未來依舊是充滿信心。

    另一層可以說是精神層面的，摩爾定律內容的實質含義同樣適用在其他行業和領域，進行不斷地努力和突破，從而產生經濟效益，使摩爾定律成為全球經濟的根本動力，通過逐年提升能力，可以多快好省地利用計算演進周期來解決全球范圍內的重大問題，從而讓生活更美好。因此，從這一層面來看，摩爾定律在可預見的未來中不會終結。

全球首次展示 Cannon Lake 10nm晶圓

    在會上，Stacy Smith 先生在全球范圍內，首次展示了“Cannon Lake”10nm 晶圓，采用超微縮技術，擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，實現了行業內最高的晶體管密度。

發布首款面向數據中心的64層 TLC 3D NAND 固態硬盤

    英特爾公布了業內首款面向數據中心的64層、三級單元（TLC）3D NAND 固態硬盤。推出優化的3D NAND浮柵架構和制造工藝，是英特爾在存儲領域30年的專業積淀，再加上制程領先性，能夠快速把64層TLC 3D NAND 技術進行組合。產品將在今年年底大范圍地上市。

全球晶體管密度最高的制程工藝

    相信眾多朋友被市場上各個廠商雜亂的14nm和10nm搞得一頭霧水，在今天的會上，英特爾高級院士 Mark Bohr 先生詳細為我們解答了這個問題。一些廠商對于制程節點名稱的命名不準確，背離了摩爾定律，即使晶體管密度增加很少甚至是沒有增加，仍用新一代節點命名，這也是讓我們迷惑的主要原因。

    因此，就需要一個衡量工藝制程水平的準則，那就是晶體管密度。Mark Bohr 先生展示了一個被廣泛接受的晶體管密度公式，這個公式適用于任何制造商的任何芯片，能夠明確標準地測量晶體管密度，通過這個指標就能改善制程節點命名的亂象。

    放上這張圖，相信大家就都明白了，關于芯片的一些重要參數在上面都有所體現，英特爾在制程工藝上可以說是全面壓制，領先對手整整一代，擁有著全球晶體管密度最高的制程工藝。換句話說，只有英特爾的10nm是最真實的存在。

更全面的晶圓代工業務生態系統

    英特爾的晶圓代工業務在不斷發展，時至今日，英特爾可以為客戶帶來協同優化程度最高的平臺技術和IP，能夠提供出垂直集成的“一站式商店”，廣泛的封裝產品組合和一套完整的測試服務，讓客戶享受到全面的服務。■

本文編輯：苑靜涵

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