瑞晶成功試產爾必達30nm 3GbDDR3芯片

   泡泡網內存頻道4月21日  爾必達在臺灣的子公司瑞晶電子公司宣布成功試產了爾必達的30nm制程2Gb密度DDR3內存芯片產品，這次試產爾必達30nm制程產品的結果達到了公司預期的期望值，瑞晶并稱公司將按計劃進行制程的切換工作。

    新的2Gb DDR3內存芯片采用的是爾必達開發(fā)的30nm制程技術制作，這種制程功耗低且產出效率高.相比采用40nm制程制作的芯片，每片晶圓可多產出45%數量的芯片。

    這種30nm制程2Gb密度DDR3芯片可滿足DDR3-1600標準，工作電壓1.35V，可兼容DDR3+標準（seamless BL4 access：可以提升突發(fā)長度為4時的芯片突發(fā)讀寫操作的效率）,應用在消費電子類產品上后可提升產品的整體性能。

    瑞晶的發(fā)言人表示：“我們希望今年下半年能完成轉向爾必達30nm制程的工作，屆時的月產能可達8.5萬片晶圓，我們將生產2Gb/4Gb兩種密度規(guī)格的30nm DDR3內存芯片。”  ■