東芝Intel發(fā)布全球非常先進19nm NAND

   泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月22日 就在上周，英特爾與鎂光（IMFT公司）宣布其最新的20納米NAND工藝技術(shù)，今天東芝透露，它已經(jīng)生產(chǎn)采用19nm技術(shù)NAND閃存芯片。

    東芝的19nm NAND采用每單位雙位元結(jié)構(gòu)，單顆芯片可達64Gb（8GB），號稱是“世界上最小”，因此至需要118 mm2就可以達到IMFT的20nm 8GB NAND。

    采用19nm 8GB閃存芯片將于本月底開始取樣，計劃在第三季度進入批量生產(chǎn)。 IMFT公司將于2011年下半年開始20nm量產(chǎn)。

   東芝的19nm NAND閃存將加強與改進DDR2.0技術(shù)，以提供更高的傳輸速度。該公司計劃推出19nm的NAND的8GB單芯片以及多模（堆疊）芯片的容量將達到128GB。

   東芝的NAND合作伙伴，SanDisk公司今年晚些時候開始提供19nm NAND閃存。■