Toggle DDR2接口 三星研制快速NAND

    泡泡網內存頻道5月13日 早在一年前三星和東芝就開始著手研發DDR2接口NAND，今天三星正式宣布，已經研制成功，并將在64Gb(8GB) MLC(multi-level cell)首次使用Toggle DDR2接口。

    另外這些NAND將采用20nm工藝制造，采用Toggle DDR2 64Gb NAND Flash較現在的SDR NAND Flash信息處理速度40Mbps快10倍，達400Mbps，也比處理速度133Mbps的Toggle DDR1高速NAND Flash快3倍。

    這些新的NAND將被應用到第四代智能手機和SATA 6Gbps SSD，三星極少新Toggle DDR2能夠使得NAND速度更快，體積更小，相比20nm 32Gb MLC NAND可提高50%。■