SK海力士官宣，已開發(fā)12 層堆疊 HBM3 DRAM 芯片

　　4月20日消息，在近日，SK海力士官方宣布，目前已經(jīng)在全球范圍內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12單品的DRAM芯片，成功開發(fā)出了最 高容量24GB的HBM3 DRAM芯片。

　　根據(jù)SK海力士官方的說法，此款12層堆疊的HBM3 DRAM芯片是既去年首款量產(chǎn)HBM3之后，再一次開發(fā)出內(nèi)存容量比前一代產(chǎn)品增加50%的24GB封裝產(chǎn)品。其采用了硅通孔（TSV） 技術(shù)以及工藝效率等方面的升級，將單個DRAM芯片厚度降低了40%，最終在前代16GB產(chǎn)品系統(tǒng)的封裝厚度上，堆疊了12層共24GB的HBM3 DRAM。而目前此款12層堆疊的HBM3 DRAM芯片已經(jīng)向眾多的客戶提交試驗(yàn)。