2nm成本太高！內(nèi)存也漲價(jià)！明年的旗艦機(jī)要更貴了？

　　數(shù)碼博主 “數(shù)碼閑聊站” 最新爆料顯示，高通下一代旗艦移動(dòng)芯片驍龍 8 Elite Gen6 將迎來核心升級 ——首發(fā)臺積電 2nm 工藝制程，這也是高通旗下首款采用 2nm 工藝的手機(jī)芯片。除了工藝迭代，該芯片在存儲(chǔ)規(guī)格上也將拉滿，最高支持 LPDDR6 + 內(nèi)存與 UFS 5.0 閃存組合，硬件配置堪稱旗艦級天花板。

　　不過，頂級配置背后是顯著增加的成本壓力。據(jù)行業(yè)報(bào)道，臺積電 2nm 晶圓代工報(bào)價(jià)約為 3 萬美元 / 片，相比當(dāng)前 3nm 工藝 2.5 萬 - 2.7 萬美元的平均單價(jià)，漲幅達(dá)到 10%-20%。作為芯片核心成本的重要組成部分，晶圓代工價(jià)格的上漲直接推高了驍龍 8 Elite Gen6 的整體成本，也讓博主直言 “頂配旗艦的價(jià)格我都不敢想”。

　　芯片成本的上漲將直接影響終端產(chǎn)品的定價(jià)策略。消息指出，受驍龍 8 Elite Gen6 成本攀升影響，明年下半年的安卓旗艦機(jī)可能將調(diào)整配置方案，不再實(shí)現(xiàn)全系標(biāo)配 Elite 級芯片。預(yù)計(jì)新的產(chǎn)品布局中，標(biāo)準(zhǔn)版旗艦將搭載基礎(chǔ)版驍龍 8 Gen6，而 Pro 版或 Ultra 版旗艦才會(huì)配備規(guī)格更高的驍龍 8 Elite Gen6，通過配置分層來平衡成本與定價(jià)。

　　雪上加霜的是，存儲(chǔ)芯片市場的價(jià)格上漲周期已正式開啟。據(jù)悉，三星電子與 SK 海力士兩大存儲(chǔ)巨頭已在第四季度上調(diào) DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格，最高漲幅達(dá) 30%，且新的價(jià)格體系已開始向終端客戶傳導(dǎo)。這一舉措是存儲(chǔ)廠商針對當(dāng)前市場供需失衡的應(yīng)對，而對于手機(jī)行業(yè)而言，存儲(chǔ)芯片作為核心零部件之一，其價(jià)格上漲將進(jìn)一步增加終端產(chǎn)品的成本壓力。

　　芯片與存儲(chǔ)兩大核心零部件同時(shí)漲價(jià)，意味著明年的旗艦級手機(jī)將面臨雙重成本壓力，終端定價(jià)上漲幾乎已成定局。從目前的行業(yè)趨勢來看，驍龍 8 Elite Gen6 的 2nm 工藝升級、存儲(chǔ)芯片的漲價(jià)潮，疊加可能的配置分檔策略，明年的頂配旗艦手機(jī)價(jià)格有望再創(chuàng)新高，消費(fèi)者的購機(jī)門檻或?qū)⑦M(jìn)一步提高。對于追求頂級配置的用戶而言，明年選擇旗艦機(jī)可能需要付出更高的預(yù)算。