?AI需求引爆內(nèi)存危機：三星暫停DDR5報價，DRAM價格飆升蔓延至2026年

　　隨著全球超大規(guī)模云端服務(wù)供應(yīng)商持續(xù)加碼人工智能支出，內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的供應(yīng)緊縮與價格風(fēng)暴。近期，市場動態(tài)顯示DRAM報價暫停的現(xiàn)象正從個別企業(yè)蔓延至整個行業(yè)，價格飆升態(tài)勢預(yù)計將持續(xù)至2026年。早在10月初，韓國與美國的主要DRAM制造商已暫停新企業(yè)報價一周。而據(jù)行業(yè)權(quán)威機構(gòu)TrendForce最新信息，三星目前已基本暫停DDR5內(nèi)存的合約報價，預(yù)計到11月中旬才可能恢復(fù)。其他供應(yīng)商也多采取觀望態(tài)度，被動報價，導(dǎo)致市場交易量驟減。10月份完成的DRAM交易極為有限，而定價周期也已從傳統(tǒng)的季度模式轉(zhuǎn)向月度報價，反映出市場的高度不確定性。

　　在此背景下，TrendForce已大幅上調(diào)其對2025年第四季度傳統(tǒng)DRAM的價格漲幅預(yù)期，從原先的8–13%提升至18–23%，并表示仍有進一步上調(diào)的可能。這一調(diào)整主要源于服務(wù)器DRAM合約價格的強勁走勢，其正帶動整體DRAM價格水漲船高。更值得關(guān)注的是，由于AI服務(wù)器需求持續(xù)強勁，DDR5合約價格預(yù)計在整個2026年都將保持上漲軌跡，尤其在明年上半年將更為明顯。

　　此次內(nèi)存危機的根源被指向AI推理需求的爆炸式增長。NAND閃存控制器巨頭硅邦科技首席執(zhí)行官Wallace C. Kou指出，這股需求同時沖擊了高帶寬內(nèi)存（HBM）、NAND閃存乃至機械硬盤市場。其中，HBM的需求已飆升至“前所未有”的水平，促使DRAM制造商將資本支出優(yōu)先投向HBM生產(chǎn)。然而，HBM的物理結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了嚴重的產(chǎn)能消耗：要達到與DDR5同等的芯片密度，需要消耗三倍的晶圓。此舉在推動HBM產(chǎn)能的同時，也加劇了包括DDR5在內(nèi)的整體DRAM產(chǎn)能緊張。

　　面對短缺，DRAM制造商的擴產(chǎn)之路卻布滿荊棘。采用最先進的1b或1c納米級工藝來擴大DDR5等先進內(nèi)存產(chǎn)能，需要驚人的資金投入。據(jù)透露，每月增加1萬片晶圓的產(chǎn)能，約需100億美元的先進技術(shù)資本支出。加之設(shè)備交付周期長、工藝復(fù)雜，產(chǎn)能無法快速提升，這進一步加劇了供應(yīng)困境，為持續(xù)的價格上漲埋下伏筆。當(dāng)前的內(nèi)存市場正被AI浪潮推向一個供需嚴重失衡的臨界點，這場由AI驅(qū)動的高性能內(nèi)存短缺與價格風(fēng)暴，短期內(nèi)難以平息。