AMD、高通考慮導(dǎo)入SOCAMM內(nèi)存，或加劇LPDDR市場(chǎng)緊張

　　根據(jù)韓的最新消息，除了此前在積極推動(dòng)SOCAMM商業(yè)化的英偉達(dá)外，目前AMD和高通也在探索為其AI服務(wù)器芯片導(dǎo)入這一類(lèi)型的內(nèi)存模組，此舉或進(jìn)一步加劇全球LPDDR內(nèi)存市場(chǎng)的供需緊張局面。SOCAMM之所以受到頭部芯片企業(yè)關(guān)注，核心在于其顯著的性能優(yōu)勢(shì)。相較傳統(tǒng)板載LPDDR DRAM Die方案，SOCAMM具備維護(hù)便利的天然優(yōu)勢(shì)，無(wú)需更換整塊主板即可完成內(nèi)存升級(jí)或更換；而與基于DDR的DIMM模組方案相比，它在主板PCB上的面積占用更低，能效表現(xiàn)也更為優(yōu)秀，適配AI服務(wù)器緊湊化、低功耗的發(fā)展需求。據(jù)悉，SOCAMM本質(zhì)上是基于LPDDR5X DRAM顆粒構(gòu)建的模塊化內(nèi)存，目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。

　　消息人士透露，AMD和高通考慮導(dǎo)入的SOCAMM，在外形規(guī)格上與英偉達(dá)應(yīng)用的版本存在明顯差異。其中，AMD與高通計(jì)劃采用的版本在模組PCB上放置兩列LPDDR Die，允許集成PMIC（電源管理芯片）；而英偉達(dá)當(dāng)前使用的版本僅有一列DRAM Die，且未集成PMIC，這種差異源于不同企業(yè)AI服務(wù)器芯片的設(shè)計(jì)需求。但顯然AMD和高通的方案比起英偉達(dá)的方案密度更大，對(duì)于當(dāng)下緊張的內(nèi)存市場(chǎng)來(lái)說(shuō)可謂是雪上加霜。

　　業(yè)內(nèi)人士指出，若AMD、高通順利導(dǎo)入SOCAMM，加上英偉達(dá)持續(xù)推動(dòng)其商業(yè)化，將進(jìn)一步提升AI基礎(chǔ)設(shè)施行業(yè)對(duì)LPDDR內(nèi)存的需求。這意味著本就緊張的LPDDR市場(chǎng)供需矛盾將再度升級(jí)，進(jìn)而對(duì)智能手機(jī)、筆記本電腦等同樣依賴(lài)LPDDR內(nèi)存的消費(fèi)電子領(lǐng)域造成進(jìn)一步擠壓，或間接推動(dòng)相關(guān)終端產(chǎn)品的內(nèi)存成本上升。