能耗降40% 三星啟動20nm DRAM生產線

    泡泡網內存頻道9月23日 三星電子今天正式宣布20nm DDR3 DRAM生產線，這也是三星首個20nm DRAM產品線，相比30nm芯片，新的20nm芯片功耗可降低40%。

    三星表示新的20nm生產線早期將會使得芯片的成本提升50%以上，不過由于工藝得到提升，芯片面積、價格和效能都將得到改善。

    目前三星主要推出2Gb DRAM顆粒，到年底三星還打算推出4Gb DRAM芯片，16GB、32GB的內存模組將成為可能（標準PCB版）。

    據悉三星Line-16位于韓國南部華城，工廠占地198000平方米，截至到目前為止三星共投資了多達100億美元，旨在保持DRAM內存市場的領導地位?！?/P>