三星成功研制出4Gb LPDDR3內(nèi)存顆粒！

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道9月30日 在近日的Mobile Solutions Forum論壇大會上，三星電子宣布了一項新的成果， 基于低壓版的4Gb LPDDR3已經(jīng)成功研發(fā)，于此同時三星還宣布了容量高達64GB的embedded multimedia card(e-MMC)。

    據(jù)悉三星新的4Gb LPDDR3內(nèi)存采用了30nm工藝制造，相對前任產(chǎn)品節(jié)能20%，頻率可以達到1600Mbps，另外產(chǎn)品還可以堆疊成8Gb或16Gb，單條標準內(nèi)存就可以實現(xiàn)32GB的容量。產(chǎn)品預(yù)計將于Q4季度進入樣品階段。

    而新的64GB e-MMC NAND則采用了三星最新的e20nm工藝，采用了toggle DDR 2.0接口，讀寫速度分別可以達到80MB/s和40MB/s，產(chǎn)品的質(zhì)量僅有0.6克，另外厚度也只有1.4mm，非常適合高容量智能手機或平板電腦。■