我與TZ77XE3親密接觸(四）—內(nèi)存超頻

    泡泡網(wǎng)主板頻道7月25日 內(nèi)存白菜價(jià)已經(jīng)很久很久了，幾乎都不知道2G*2是什么年代的事了，就像在今天4G*2的時(shí)代太渺小太渺小了。既然內(nèi)存如此便宜，哪我們是否應(yīng)該考慮給自己裝備一套給力的內(nèi)存呢？低時(shí)序？高頻率？單雙通道？哪么在Ivy Bridge平臺(tái)內(nèi)存各參數(shù)對(duì)性能又有多大的影響呢？通過這篇文章的測(cè)試結(jié)果將告訴我們答案。

    本次測(cè)試的主板映泰TZ77XE3在內(nèi)存方面提供了4×DDR3 DIMM內(nèi)存插槽，采用標(biāo)準(zhǔn)雙通道設(shè)計(jì)，支持DDR3 2600/2400/2133/1866/1600/1333/1066MHz內(nèi)存規(guī)格，最高可滿足32G的極限容量。

    測(cè)試平臺(tái)：

Ivy Bridge平臺(tái)，內(nèi)存單雙通道對(duì)比測(cè)試

    在Ivy Bridge平臺(tái)內(nèi)存單雙通道測(cè)試成績(jī)來看，和以往的intel平臺(tái)一樣，單雙通道性能影響挺大。雙通道Read性能提升35.5%、Write性能提升36.9%、copy性能提升44.6%，而在Latency方面提升就不明顯了。從測(cè)試成績(jī)來看在Ivy Bridge平臺(tái)內(nèi)存選擇雙通道哪是必須的，如果你只有4G內(nèi)存的預(yù)算，果斷選擇2G*2吧！

    在Ivy Bridge平臺(tái)內(nèi)存處于同一時(shí)序時(shí)，各種頻率在性能方面又有多大的提升呢？從1333MHZ～2133MHz頻率下，Read性能提升25.8%、Write性能提升8%、Copy性能提升25.3%，Latency性能提升27.4%，各項(xiàng)測(cè)試成績(jī)提升效果都是非常明顯滴，這也是三星神條為什么這么火的理由，花1333頻率的價(jià)格得到2133頻率的性能，何樂而不為呢？！！！

    在Ivy Bridge平臺(tái)內(nèi)存在相同頻率時(shí)，各種時(shí)序在性能方面又有多大的提升呢？在1600頻率下，時(shí)序從7-7-7-28～10-10-10-28，Read性能提升4.9%、Write性能提升0.12%、Copy性能提升1.3%，Latency性能提升10%。注：時(shí)序越高性能越低。

    從提升的性能來看，并不是很大，告訴我們?cè)谄綍r(shí)超頻內(nèi)存的時(shí)候，如果不太穩(wěn)定，可以適當(dāng)提高時(shí)序而對(duì)性能影響也不是很大，也沒有必要刻意去追求CL8和CL9。

    指令比率也是大家在超頻時(shí)會(huì)遇到的一個(gè)問題，有時(shí)2T完全可以穩(wěn)定，就是1T會(huì)死機(jī)藍(lán)屏，哪該怎么辦？從測(cè)試的成績(jī)來看，性能幾乎沒有什么影響，所以1T不穩(wěn)定的時(shí)候果斷2T吧！看看這些測(cè)試數(shù)據(jù)吧，根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā)，選擇你所需要滴、最適合自己滴、才是最好滴！■