以目前市場(chǎng)來(lái)看，熱賣(mài)的AMD產(chǎn)品是45nm工藝的兩條產(chǎn)品線(xiàn)——羿龍II處理器和速龍II處理器。它們除了產(chǎn)品定位不同外，還都具備不同核心數(shù)量的產(chǎn)品。說(shuō)到羿龍Ⅱ和速龍Ⅱ處理器，就不得不提一提AMD全新的45nm工藝。雖然兩大陣營(yíng)都推出了45nm工藝產(chǎn)品，但兩家的工藝卻不一樣，產(chǎn)品的功耗控制也大不相同。

    采用45nm SOI沉浸式光刻制造技術(shù)

　　AMD的45納米制程工藝是聯(lián)合IBM一同研發(fā)的。有趣的是，與英特爾的高-K金屬柵極不同，AMD和IBM的技術(shù)是超低K電介質(zhì)互聯(lián)。而另兩項(xiàng)相關(guān)技術(shù)分別是：多重增強(qiáng)晶體管應(yīng)變技術(shù)和沉浸式平板印刷術(shù)。

　　簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，多空、超低K電介質(zhì)可以降低串聯(lián)電容、降低寫(xiě)入延遲和能量消耗，從而明顯提升性能功耗比；而沉浸式平板印刷術(shù)，實(shí)際上就是在激光蝕刻頭的中間加入一種特殊的液體來(lái)修正光的折射，從而讓其在晶圓上更好的刻錄晶體管。用這種工藝設(shè)計(jì)生產(chǎn)的SRAM芯片可獲得大約15％的性能提升。真正解決AMD在 45納米技術(shù)難題的是多重增強(qiáng)晶體管應(yīng)變技術(shù)，AMD和IBM稱(chēng)，與非應(yīng)變技術(shù)相比，這一新技術(shù)能將P溝道晶體管的驅(qū)動(dòng)電流提高80％，將N溝道晶體管的驅(qū)動(dòng)電流提高24％。

    從實(shí)際羿龍II和速龍II上市產(chǎn)品來(lái)看，AMD本次的45nm SOI沉浸式光刻制造技術(shù)非常成熟，產(chǎn)品的起跳主頻比較高，輕松的突破了3GHz大關(guān)。通過(guò)之前的超頻比賽，已經(jīng)有玩家通過(guò)液氮成功將羿龍II超6G大關(guān)，其速龍II雙核超頻表現(xiàn)也非常出色。