天生悍將！32nm雙核四線程新酷睿評測

   新酷睿必殺武器之二：32nm工藝業界技術領先

    Intel并沒有把最新的32nm制作工藝率先用到旗艦級的Core i7上，而是直接運用到主流級的Core i3/i5，成為率先步入32nm的CPU處理器。

制造工藝永遠是高性能芯片的參照標準之一，在更高的制造工藝下，在相同的單位面積下可以容納下更多的晶體管，而晶體管數量的增多直接體現在了性能的提升方面。同時由于單位體積的減小，以及新材料的大量應用。更為先進的工藝制程下制造的芯片產品耗電量以及發電量也會得到很好的控制，這也是為什么新一代工藝制程的產品會比前一代產品在功耗上有很好表現的原因之一。

32nm工藝已經提及多次了，在這里我們還是簡單的再來回顧一下，采用高k+金屬架構柵極的45nm制程技術取得巨大成功之后，英特爾再接再厲推出了采用第二代高k+金屬柵極的32納米制程技術，目前已接近量產。這種新制程技術將用來制造英特爾Nehalem微體系架構的32nm版本-Westmere。

    據Intel英特爾高級院士Mark Bohr透露，32nm制程技術的基礎是第二代高k+金屬柵極晶體管。英特爾對第一代高k+金屬柵極晶體管進行了眾多改進。 在45納米制程中，高k電介質的等效氧化層厚度為1.0nm。而在32nm制程中，此氧化層的厚度僅為0.9nm，而柵極長度則縮短為30nm。

    晶體管的柵極間距每兩年縮小0.7倍——32nm制程采用了業內最緊湊的柵極間距。32nm制程采用了與英特爾45納米制程一樣的置換金屬柵極工藝流程，這樣有利于英特爾充分利用現有的成功工藝。這些改進對于縮小集成電路（IC）尺寸、提高晶體管的性能至關重要。采用高k+金屬柵極晶體管的32nm制程技術可以幫助設計人員同時優化電路的尺寸和性能。

    Intel已經成功完成了32nm制程的研發工作，并且是業界第一家可以演示運行的32nm處理器的廠商，它采用第二代High-K和金屬柵極晶體管技術，九個金屬銅和Low-K互聯層，其中的關鍵層會在Intel歷史上首次應用沉浸式光刻技術，無鉛無鹵素，核心面積可比45nm減小大約70％，在性能方面提高超過22%以上。