2013年趨勢 新工藝閃存SSD已紛紛出貨

    泡泡網(wǎng)固態(tài)硬盤SSD頻道3月21日 閃存制程的進步可以提升SSD的性能，所以每一代新工藝的出現(xiàn)都讓人們激動，去年主流的NAND閃存工藝是25nm，東芝則為24nm，這一代工藝就是ONFI陣營的20nm以及東芝Toggle DDR陣營的19nm了。

    每一次NAND閃存制程的提升，都會讓Die尺寸以及成本得到減小，去年SSD常用的IMFT的25nm工藝，Die大小為167平方毫米，改用IMFT的20nm工藝可進一步減少到118平方毫米，面積縮減了30%，芯片產(chǎn)量則可以提高40%，成本大大降低。今年年初Intel就推出了20nm閃存的新品，19nm閃存芯片也已經(jīng)開始量產(chǎn)等新聞，近期有越來越多采用新制程閃存SSD消息傳出。

    其實我們知道新制程早就已經(jīng)出來了，不過相應(yīng)的產(chǎn)品卻很少，年前也只有幾家SSD廠商推出，原因何在？只要就表現(xiàn)在主控與固件方面，這一方面，肯定是有自主開發(fā)能力或者開發(fā)團隊實力較強的廠商更有優(yōu)勢，畢竟主控可以選擇購買，但是固件直接影響自己產(chǎn)品的兼容性和穩(wěn)定性及性能潛力開發(fā)，SSD廠商固件團隊的實力直接影響產(chǎn)品的性能，所以雖然有新制程閃存，但是本身產(chǎn)品的推出時間就必然有先有后。

    當然，制程的提升帶來了成本的降低，不過有得有失，Nand擁有更加先進的制程，因為物理特性的原因，在同樣的空間要做出更加多的充放電動作，這則會增加讀寫數(shù)據(jù)的延時。另外密度的上升讓SSD主控的糾錯校正能力都受到了新的考驗。新制程所帶來的數(shù)據(jù)錯誤率比以前高，SSD的主控糾錯能力要求就更加高了。最后是壽命方面，我們知道隨著制程提升，閃存壽命是隨之減少的，當年34nm的閃存演變到25nm，已經(jīng)由普遍的5000P/E跌落到普遍的3000P/PE。如今25nm降至20nm以及19nm將會繼續(xù)下降。

    不過閃存制程的提升是必然的趨勢，為我們帶來SSD整體性能的提升以及價格的下降，目前隨著各家新主控以及固件的推出，新閃存SSD已經(jīng)推出了很多款，今年勢必是這一代產(chǎn)品的天下了，下面我們看看目前各家的新品。