英特爾45nm新旗艦四核QX9650解析測試

    但隨著芯片中晶體管數(shù)量增加，原本僅數(shù)個原子層厚的二氧化硅絕緣層會變得更薄進而導致泄漏更多電流，隨后泄漏的電流又增加了芯片額外的功耗。此時，由于受“泄漏電流”的影響，導致后續(xù)產(chǎn)品頻率無法提升，功耗高居不下。為了從當前的窘境中逃出來，Intel迅速部署65nm產(chǎn)品計劃。迅速在2005年推出了Pentium Extreme Edition 955，標志著Intel進入一個新的階段，65nm時代的來臨。

    Pentium Extreme Edition 955處理器基于65nm工藝，是整個Pentium D 900系列雙核心產(chǎn)品中最高端的一款。

 Pentium Extreme Edition 955

    盡管新品均采用65nm工藝制造，但其TDP（Thermal Design Power）依然為130W。工作電壓需要從1.2v到1.375V，機箱內(nèi)部溫度不能夠超過68.6度。不過，Preslers無論在制造工藝還是架構變革方面都有了非常大改進，包括獨立的雙L2 Cache設計，以及制造工藝較90nm產(chǎn)品有了非常大的改觀。

　　雖然這一代產(chǎn)品晶體管材質較上一代并沒有太大變化，但是在漏電方面的改進還是非常顯著的，起初在90nm工藝下采用的應變硅技術，在新一代65nm處理器上得到進一步發(fā)展，雖然絕緣層還是停留在1.2nm，但是晶體管扭曲提升了15％，這樣的結果就是漏電減小了4分之一，這樣也使的晶體管的響應速度在沒有功耗提升的情況下提升了近30%，整體表現(xiàn)還是不錯的。