挑戰軟件極限!6核12線程"i9"全國首測

● 摩爾定律的延續！Intel最新32nm制程講解

    采用高k+金屬架構柵極的45nm制程技術取得巨大成功之后，英特爾再接再厲推出了采用第二代高k+金屬柵極的32納米制程技術，目前已接近量產。這種新制程技術將用來制造英特爾Nehalem微體系架構的32nm版本-Westmere。

    據Intel英特爾高級院士Mark Bohr透露，32nm制程技術的基礎是第二代高k+金屬柵極晶體管。英特爾對第一代高k+金屬柵極晶體管進行了眾多改進。 在45納米制程中，高k電介質的等效氧化層厚度為1.0nm。而在32nm制程中，此氧化層的厚度僅為0.9nm，而柵極長度則縮短為30nm。

    晶體管的柵極間距每兩年縮小0.7倍——32nm制程采用了業內最緊湊的柵極間距。32nm制程采用了與英特爾45納米制程一樣的置換金屬柵極工藝流程，這樣有利于英特爾充分利用現有的成功工藝。這些改進對于縮小集成電路（IC）尺寸、提高晶體管的性能至關重要。采用高k+金屬柵極晶體管的32nm制程技術可以幫助設計人員同時優化電路的尺寸和性能。

    Intel已經成功完成了32nm制程的研發工作，并且是業界第一家可以演示運行的32nm處理器的廠商，它采用第二代High-K和金屬柵極晶體管技術，九個金屬銅和Low-K互聯層，其中的關鍵層會在Intel歷史上首次應用沉浸式光刻技術，無鉛無鹵素，核心面積可比45nm減小大約70％，在性能方面提高超過22%以上。