- 博帝展示全球首款四通道DDR3內存套裝
????泡泡網內存頻道6月2日?著名存儲廠商博帝在今年的Computex大會上產品層出不窮,產品遍布DDR3內存到SSD存儲。比較引人注意的是,博帝展示了全球首款四通道DDR3內存套裝,完美兼容將于四季度發布的Sandy Bridge-E處理器平臺。 體驗平臺 5款DDR3內存 覆蓋雙通道到四通道 VIPER XTREME DIVISION4四通道套裝 ??? VIPER
張偉(編輯) · 2011-06-02 00:46 - Computex 2011:海盜船區多款存儲產品
????泡泡網內存頻道5月31日?Computex大會已經開幕,做為高端DIY配件廠商,海盜船在這次展會上將展示自己的全新概念產品:Corsair LINK。 ??? Corsair LINK可以為海盜船產品提供一個控制系統,通過這個系統玩家不僅可以監控電腦主機的散熱系統、電源、內存等,還能自行調整主機中散熱風扇、水泵等運行參數,達到心中理想的運行效果。 ??? 海盜船新款
肖冠丁 · 2011-05-31 08:15 - 2400MHz 海盜船發布全球最快DDR3內存
????泡泡網內存頻道5月27日?被國內玩家稱為“紅梳子”的海盜船Dominator GTX系列內存將迎來一款新的產品,雙通道8GB套裝,工作頻率為2400MHz,而延遲僅僅只有9-11-10-30,它將成為全球最快的雙通道內存。 ??? 海盜船的內存產品主管Giovanni Sena表示:“新的8GB套裝將幫助玩家挖掘出內存的極限性能。這些內存都是記過仔細的篩選、測試,玩家們借助它可以實現
張偉(編輯) · 2011-05-27 09:57 - Super Talent發布入門級USB 3.0 U盤
????泡泡網內存頻道5月25日?一直主打中高端市場的Super Talent今天發布了一款入門級USB 3.0 U盤,它們都采用了低價的MLC NAND閃存。 ??? Super Talent新發布的USB 3.0 U盤采用了無帽設計,型號為USB 3.0 Express DUO 2CH,讀寫速度分別為67MB/s和23MB/s。尺寸為80.82 x 20.62 x 12.1mm,提供5年
張偉(編輯) · 2011-05-25 00:06 - 寶劍配英雄!《仙劍5》典藏版U盤發布
????泡泡網內存頻道5月24日?4月28日發布,7月7日上市,在等待《仙劍奇俠傳五》發布的日子里,《仙劍5》官方發布了首個周邊實物照——“《仙劍奇俠傳5》典藏U盤”正式對外發布。 《仙劍奇俠傳5》典藏U盤采用純銅材質打造,容量4GB,大小為11 x 2cm,重約75克。該U盤為《仙劍5》豪華包贈品之一,限量發售,極具收藏價值。 《仙劍5》豪華包贈品U盤實物 ??? ■
張偉(編輯) · 2011-05-24 00:08 - 僅1.35V 威剛推出超低電壓版DDR3內存
????泡泡網內存頻道5月21日?與其它產品一味追求高頻率不同的是,威剛近日推出了一款超低電壓版4GB DDR3 1333MHz內存套裝(單條2GB),電壓低至1.35V。 ??? 這款內存隸屬XPG+(Xtreme Performance Gear)游戲系列內存,散熱片采用了紅色設計,為了達到低電壓,采用了高質量PCB,極限性能模式(XPG)下時序為8-8-8-24,而游戲情況下時序為9-
張偉(編輯) · 2011-05-21 00:14 - 航海造型 海盜船發布Voyager系列U盤
????泡泡網內存頻道5月20日?近來USB 3.0的U盤創新不斷,作為存儲大廠,海盜船今天也推出了一款別具風格的USB 3.0閃存,外形酷似航海模型。 ??? 正如它的外觀,這款閃存的名稱為Flash Voyager USB 3.0,可以提供4倍于USB 2.0的速度,能夠有效節約用戶存儲數據的時間。Flash Voyager USB 3.0家族都采用了相似的外觀設計,這包括防滑橡膠外殼,
張偉(編輯) · 2011-05-20 09:52 - 100MB/s 金士頓推出旗艦USB 3.0 U盤
????泡泡網內存頻道5月19日?存儲設備廠商金士頓今天面向高端市場發布了一款DataTraveler Ultimate 3.0 G2閃存,讀取速度到達100MB/s大關,而寫入速度也達到了60MB/s。 ??? DataTraveler Ultimate 3.0 G2的外觀設計和上代相同,尺寸為73.7x22.2x16.1mm,USB 3.0模式下讀取為100MB/s,寫入70MB/s,而
張偉(編輯) · 2011-05-19 10:00 - 炫酷跑車造型 帝盟發布新款SR系列U盤
????泡泡網內存頻道5月16日?著名存儲廠商今天發布了兩款新的閃存分別為SR1和SR3,外觀酷似跑車,接口分別為USB 2.0和USB 3.0。 ??? 據悉這兩款U盤將在Computex 2011上亮相,它們都采用了相同的設計,只不過接口不同,SR1為USB 3.0接口,SR3則為USB 2.0接口。 ??? 采用USB 3.0接口的SR1官方聲稱可以達到50MB/s的讀寫能力,完
張偉(編輯) · 2011-05-16 00:47 - Toggle DDR2接口 三星研制快速NAND
????泡泡網內存頻道5月13日?早在一年前三星和東芝就開始著手研發DDR2接口NAND,今天三星正式宣布,已經研制成功,并將在64Gb(8GB) MLC(multi-level cell)首次使用Toggle DDR2接口。 ??? 另外這些NAND將采用20nm工藝制造,采用Toggle DDR2 64Gb NAND Flash較現在的SDR NAND Flash信息處理速度40Mb
張偉(編輯) · 2011-05-13 00:05 - 金士頓發布全新HyperX PnP高性能內存
????泡泡網內存頻道4月26日?內存廠商金士頓今天又發布了一款新的駭客系列產品--HyperX Plug and Play (PnP),這款內存主要面向極限高端用戶。 ??? 值得一提的是,這款內存專門針對Sandy Bridge處理器,當被安裝在Sandy Bridge平臺上時,內存會自動通過程序達到更快的速度,為1600MHz或1866MHz。 ??? 內存模組使用了JEDEC兼
張偉(編輯) · 2011-04-26 09:56 - 雙路至強系統大破3DMark全家世界紀錄
??泡泡網內存頻道4月25日?昨天,世界著名超頻玩家Vince“K|ngp|n”Lucido和Illya“TiN”Tsemenko成功刷新了3DMark 11和3DMark Vantage的世界紀錄。 海盜船三通道Dominator GT內存 此次,兩位玩家破世界紀錄的平臺配置包括:EVGA Classified SR-2主板、兩顆Intel Xeon X5690處理器、四張EVGA
張偉(編輯) · 2011-04-25 09:31 - 廣穎電通推首款隨溫變色USB 3.0閃盤
??? 泡泡網內存頻道4月21日 日前,儲存設備廠商Silicon Power發布了新款U盤Blaze B10,其采用USB 3.0接口,而且是業界首款會根據溫度變化改變外觀顏色的產品。 ??? Blaze B10尺寸72.4x17.4x10mm,重9.5g。采用USB 3.0接口,向下兼容USB 2.0/1.1,接口可靠性插接10000次。容量8GB、16GB、32GB,最高讀取速度70M
張偉(編輯) · 2011-04-22 01:30 - 東芝Intel發布全球最先進19nm NAND
???泡泡網內存頻道4月22日?就在上周,英特爾與鎂光(IMFT公司)宣布其最新的20納米NAND工藝技術,今天東芝透露,它已經生產采用19nm技術NAND閃存芯片。 ??? 東芝的19nm NAND采用每單位雙位元結構,單顆芯片可達64Gb(8GB),號稱是“世界上最小”,因此至需要118 mm2就可以達到IMFT的20nm 8GB NAND。 ??? 采用19nm 8GB閃存芯片將于本
張偉(編輯) · 2011-04-22 00:07 - 瑞晶成功試產爾必達30nm 3GbDDR3芯片
???泡泡網內存頻道4月21日? 爾必達在臺灣的子公司瑞晶電子公司宣布成功試產了爾必達的30nm制程2Gb密度DDR3內存芯片產品,這次試產爾必達30nm制程產品的結果達到了公司預期的期望值,瑞晶并稱公司將按計劃進行制程的切換工作。 ??? 新的2Gb DDR3內存芯片采用的是爾必達開發的30nm制程技術制作,這種制程功耗低且產出效率高.相比采用40nm制程制作的芯片,每片晶圓可多產出45%%
張偉(編輯) · 2011-04-21 12:46 - 借助三星4Gb顆粒 HP服務器內存達2TB
????泡泡網內存頻道4月20日?2TB的硬盤存儲可能不算很突出,但是2TB的RAM絕對是相當的震撼,現在借助三星的4Gb單顆內存顆粒,HP服務器可以提供高達2TB的內存容量。 ??? 內存容量對于主流的消費市場來說可能不需要很大,能夠滿足基本的需要就可以了,像現在主流的PC搭配4GB的內存,即使對于極端的愛好者可能會使用 12GB, 16GB或是24GB的內存,不過目前大多數的游戲是不會超
張偉(編輯) · 2011-04-20 10:36 - 芝奇發布全球最快8GB DDR3雙通道內存
??? 泡泡網內存頻道4月20日?G.Skill今天宣布,正在開發并即將推出世界上最快的8GB DDR3雙通道內存套裝,運行頻率高達2300MHz(PC3-18400)。 ??? 該套裝隸屬于芝奇的Ripjaws-X系列產品,由兩條容量4GB DDR3 DIMM內存條組成,額定頻率達到2300MHz,時序為9-11-9-28-2N,電壓1.65V。由于運行頻率高、發熱量大,兩條內存不但安裝了
張偉(編輯) · 2011-04-20 08:35 - Intel、鎂光聯合開發出20nm閃存工藝
????泡泡網內存頻道4月15日??Intel、鎂光今天聯合宣布了最先進的20nm工藝閃存。 ???? 20nm工藝依然由Intel、鎂光聯合投資的IM Flash Technologies(IMFT)負責制造,可以生產出容量達64Gb(或者說8GB)的MLC NAND閃存顆粒,而且核心面積僅僅118平方毫米,相比25nm 8GB NAND閃存減小30-40%。 ??? Intel宣稱,
張偉(編輯) · 2011-04-15 09:00 - 爾必達發布30nm 4Gb DDR2 Mobile RAM
????泡泡網內存頻道4月7日?盡管受到地震影響,一些工廠出現停工現象,但日本存儲芯片大廠爾必達的新品發布進程并未受到影響。今天,他們發布了針對智能手機、平板機的新款移動存儲芯片產品,基于30nm工藝的DDR2 Mobile-RAM。 ??? 新款Mobile-RAM單顆容量為4Gb(512MB),頻率DDR2 1066MHz,電壓1.2V。相比40nm 2Gb產品,新品30nm 4Gb顆粒
張偉(編輯) · 2011-04-08 10:54 - 24nm工藝 東芝發布SmartNAND系列產品
????泡泡網內存頻道4月7日?雖然各個日本企業在地震中都有所損失,但仍然不能終止他們前進的腳步。日前,東芝正式發布了基于24nm制程技術的SmartNAND系列產品,進一步擴大了其NAND閃存的產品線。 東芝SmartNAND系列閃存芯片采用了24nm制程工藝,使用傳統NAND接口,并在內部封裝了ECC錯誤校驗控制芯片,可有效降低ECC校驗時造成的系統負擔。 該系列閃存芯
張偉(編輯) · 2011-04-07 10:20

